二阶曲率补偿带隙基准的设计

• 作者: 廖杰 李燕楠
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 曲率补偿 亚阈值区 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 设计开发
• 页码范围: 184-184
• 页数: 1页
• 分类号: TN432
• 字数: 743字
• 语种: 中文

摘要

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示，在1.5 V电源电压下，带隙基准输出电压在-25℃~125℃温度范围内获得了3.18 ppm/℃的温度系数，在1Hz及100KHz的频率处分别获得了-113.2 dB及-52.76dB的电源抑制比。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李燕楠	重庆邮电大学光电工程学院	3	1	1.0	1.0
2	廖杰	重庆邮电大学自动化学院	1	0	0.0	0.0