作者:
原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法.包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法.通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性.
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文献信息
篇名 VLSI失效分析技术研究进展
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 大规模集成电路 失效分析 样品制备技术
年,卷(期) 2005,(z1) 所属期刊栏目 可靠性物理与失效分析
研究方向 页码范围 60-64
页数 5页 分类号 TN47.06
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.z1.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 费庆宇 信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心 5 31 2.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
大规模集成电路
失效分析
样品制备技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
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9369
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