反应离子腐蚀及其在VLSI失效分析中的应用

• 作者: 施明哲 林晓玲 章晓文 费庆宇
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 超大规模集成电路 失效分析 多层金属化 反应离子腐蚀 钝化层
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN47.06
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2006.01.012

摘要

介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术--反应离子腐蚀去钝化层法,包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响,并列举了几个实用例子.反应离子腐蚀法实现了芯片表面和内部结构的可观察性和可探测性,降低了失效分析时样品制备的风险,是VLSI失效分析过程的重要步骤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文		16	78	5.0	7.0
2	施明哲		7	22	2.0	4.0
3	林晓玲		3	6	2.0	2.0
4	费庆宇		5	31	2.0	5.0