非晶态SiCN陶瓷的高温电导率

• 作者: 安立楠 张立功 王文全 罗劲松 苗元华 范翊 褚明辉
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅碳氮陶瓷 高温电导率 局域态 激活能
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 789-792
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.06.026

摘要

采用直流电流-电压测试方法,测定了热裂解前驱体方法制得的SiCN非晶态陶瓷在室温至1 373 K范围内的直流电导率.结果表明:电导率从室温时的9.6×10-9(Ω·cm)-1增加到1 373 K时的1.62×10-3(Ω·cm)-1.用Mott模型和Arrhenius法则对实验数据进行分析表明:扩展态、带尾局域态、缺陷局域态、Mott模型中的变程跃迁都对样品的电导率有影响.X射线衍射结果表明:1 473 K热处理的样品为非晶结构.红外吸收谱表明:样品中主要键合方式为Si-C,Si-N和C-N键,仅有少量的C-H、Si-H和C-O键出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范翊	中国科学院激发态物理开放实验室	12	53	5.0	6.0
2	张立功	中国科学院激发态物理开放实验室	19	71	5.0	7.0
3	王文全	吉林大学物理学院	31	67	4.0	5.0
4	苗元华	中国科学院激发态物理开放实验室	4	16	3.0	4.0
8	褚明辉	中国科学院激发态物理开放实验室	5	33	4.0	5.0
9	罗劲松	中国科学院激发态物理开放实验室	5	10	2.0	3.0
10	安立楠	中国科学院激发态物理开放实验室	4	14	3.0	3.0