退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响

• 作者: 庄春泉 汤英文 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 X射线光电子能谱 硫化
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 894-896
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3|O472+.1
• 字数: 1035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.028

摘要

文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄春泉	中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
2	汤英文	中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	龚海梅	中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室	3	3	1.0	1.0