闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

• 作者: 吕衍秋 庄春泉 李萍 黄杨程 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闭管扩散 电化学C-V 二次离子质谱 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 1290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.025

摘要

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.