原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
文章详细分析并讨论了应用于相位体制DRFM的ADC参数表征及测试方法.提出用相位非线性(PDNL和PINL)来描述相位体制ADC的静态性能,用瞬时工作带宽(IBW)及相位精度随频率的变化来描述相位ADC的频域性能.采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准3"GaAs MESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制ADC进行了性能表征及测试,结果表明其静态PDNL≤0.01LSB,PDNL≤±0.007LSB;电路可在2GHz时钟下完成采样、量化,达到2Gbps的转换速率,其瞬时带宽可达250MHz,带内相位精度小于±0.45LSB.
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文献信息
篇名 超高速相位量化ADC的表征与测试
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 相位体制模数转换器,表征,数字射频存储器,GaAs MESFET
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 22-24,28
页数 4页 分类号 TN431.1|TN79+2
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高建峰 23 98 7.0 9.0
2 夏冠群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 61 307 9.0 16.0
3 李拂晓 60 352 10.0 14.0
4 杨乃彬 18 95 6.0 8.0
5 张有涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 19 40 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
相位体制模数转换器,表征,数字射频存储器,GaAs MESFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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