超高速相位量化ADC的表征与测试

• 作者: 夏冠群 张有涛 李拂晓 杨乃彬 高建峰
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 相位体制模数转换器,表征,数字射频存储器,GaAs MESFET
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 22-24,28
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1|TN79+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.02.006

摘要

文章详细分析并讨论了应用于相位体制DRFM的ADC参数表征及测试方法.提出用相位非线性(PDNL和PINL)来描述相位体制ADC的静态性能,用瞬时工作带宽(IBW)及相位精度随频率的变化来描述相位ADC的频域性能.采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准3"GaAs MESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制ADC进行了性能表征及测试,结果表明其静态PDNL≤0.01LSB,PDNL≤±0.007LSB;电路可在2GHz时钟下完成采样、量化,达到2Gbps的转换速率,其瞬时带宽可达250MHz,带内相位精度小于±0.45LSB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰		23	98	7.0	9.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	61	307	9.0	16.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
5	张有涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	40	4.0	5.0