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高发射电流密度二极管实验研究
高发射电流密度二极管实验研究
作者:
刘忠
向飞
周传明
常安碧
张永辉
甘延青
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二极管
重复脉冲
电子束
发射密度
摘要:
介绍了一种径向绝缘的高发射电流密度二极管的结构及其磁场系统,该二极管采用爆炸发射方式,阴极为高密度热解石墨,绝缘子为氧化铝陶瓷,并采用阴极屏蔽技术,阴极尖端处的最高场强达2.470 MV/cm.同时利用CHP01加速器实验平台对这种二极管的发射特性进行了实验研究.其输出电子束参数达到:电压600 kV、电流12 kA、脉冲宽度45 ns、脉冲重复频率100 Hz、阴极电子发射密度达17 kA/cm2.电压不稳定度小于3%,电流不稳定度小于5%.研究了在高发射电流密度下二极管重复频率稳定运行问题及引导磁场对二极管输出束流及特性阻抗的影响,结果表明:二极管输出束流随磁场增大而有所减小并趋于稳定;特性阻抗则随磁场的增大而增大,当磁场强度达到临界磁场以上时,特性阻抗也趋于稳定.
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文献信息
篇名
高发射电流密度二极管实验研究
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
二极管
重复脉冲
电子束
发射密度
年,卷(期)
2005,(9)
所属期刊栏目
粒子束及加速器技术
研究方向
页码范围
1423-1426
页数
4页
分类号
TN111
字数
2475字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
常安碧
中国工程物理研究院应用电子学研究所
59
528
13.0
19.0
2
周传明
15
137
6.0
11.0
3
向飞
中国工程物理研究院应用电子学研究所
29
134
6.0
9.0
4
甘延青
中国工程物理研究院应用电子学研究所
20
191
8.0
13.0
5
刘忠
中国工程物理研究院应用电子学研究所
15
85
6.0
8.0
6
张永辉
中国工程物理研究院应用电子学研究所
17
165
7.0
12.0
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参考文献(1)
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参考文献(0)
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1993(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(3)
参考文献(0)
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参考文献(2)
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2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
二极管
重复脉冲
电子束
发射密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
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