等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析

• 作者: 秦福文 章家岩 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 GaN 氢等离子体 氮化
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 88-91
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2005.05.029

摘要

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明, 在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1 min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2 min以上表面质量开始变坏.若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10 min左右.而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2 min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4 min,表面质量将开始变坏.如果采用氢氮等离子体清洗,约需20 min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30 min)内都能获得良好的清洗表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	章家岩	安徽工业大学电气信息学院	81	314	9.0	14.0
4	郎佳红	安徽工业大学电气信息学院	37	83	5.0	7.0