XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜

• 作者: 吴广明 周斌 孙骐 沈军 熊斌 韩明 黄耀东
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 像传递函数 离子束刻蚀 Si刻蚀膜
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2064字
• 语种: 中文

摘要

研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究.在自截止腐蚀工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0 μm左右,网格尺寸为25 μm×25 μm,或条状线宽为5 μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌的影响.并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周斌	同济大学波耳固体物理研究所	140	1582	22.0	31.0
2	沈军	同济大学波耳固体物理研究所	199	2285	26.0	36.0
3	吴广明	同济大学波耳固体物理研究所	118	1607	22.0	32.0
4	熊斌	中国科学院上海冶金所传感器国家重点联合实验室	54	412	11.0	16.0
5	孙骐	同济大学波耳固体物理研究所	17	263	8.0	16.0
6	韩明	中国科学院上海冶金所传感器国家重点联合实验室	20	448	11.0	20.0
7	黄耀东	同济大学波耳固体物理研究所	10	148	7.0	10.0