Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 串行外围接口 FRAM 非易失性 International公司 延迟 串行EEPROM 能力 工作电压 写操作 内存
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 138
• 页数: 1页
• 分类号: TP334.7

摘要

Ramtron International公司推出256Kb非易失性FRAM内存FM25256。该器件带有串行外围接口（SPI），可实现20MHz无延迟写操作，并可无限次数读／写，工作电压为4．0～5．5V，兼容标准串行EEPROM。