基于pH-ISFET片上系统的研究

• 作者: 夏善红 孙红光 韩泾鸿 魏金宝
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: ISFET REFET SOC CMOS
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳传感器与执行器
• 页码范围: 176-178
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1|TP212.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.060

摘要

采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,工作电压3.3V.在标准CMOS工艺代工的基础上,设计并实现了合理的后续工艺流程.微传感系统获得53.65mV/pH的灵敏度和很好的线性度.由此说明,把ISFET微传感阵列与集成电路集成在单个芯片上构建智能型片上系统(SOC)是完全可能的,应用前景良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩泾鸿	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	29	197	7.0	12.0
2	夏善红	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	111	654	14.0	18.0
3	孙红光	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	4	26	3.0	4.0
4	魏金宝	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	5	21	3.0	4.0