MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究

• 作者: 任振兴 夏善红 杨海钢 汪祖民 韩泾鸿
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 离子敏场效应管 功能膜 微电子机械系统 五氧化二钽 聚四氟乙烯
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 741-744
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 3268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.003

摘要

微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜; 结果:在pH1～12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H+的灵敏度达56 mV/pH,PTFE膜REFET对H+的响应仅为0.13 mV/pH;结论:采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩泾鸿	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	29	197	7.0	12.0
2	夏善红	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	111	654	14.0	18.0
3	杨海钢	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	134	485	10.0	15.0
4	汪祖民	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	3	13	3.0	3.0
8	任振兴	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	5	14	3.0	3.0