Gax In1-xP缓冲层组分对InP自组装形貌影响的研究

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 曾谷城 王浩 范广涵 蔡继业 郑树文 陈勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组装 形貌 表面能 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1726-1730
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.047

摘要

应用缓冲层对自组装结构的作用能Er和自组装结构表面能E8 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1-xP缓冲层表面的形貌变化.计算发现缓冲层组分影响自组装结构的形貌.随着缓冲层与InP自组装结构之间应力的增加,InP岛倾向于拉长.理论计算还发现随着自组装结构体积的增大,自组装结构也随之拉长.而且缓冲层的参数决定了自组装结构最小能量状态时的体积大小.应用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长了不同的InP/GaInP体系,并对实验得到的自组装体系形貌进行了分析.实验结果证实了以上的理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学信息光电子学院	147	1064	16.0	26.0
2	陈勇	暨南大学生命科学学院	48	314	9.0	15.0
3	蔡继业	暨南大学生命科学学院	224	1517	16.0	24.0
4	刘颂豪	华南师范大学信息光电子学院	308	3297	27.0	39.0
5	廖常俊	华南师范大学信息光电子学院	92	843	15.0	23.0
6	王浩	华南师范大学信息光电子学院	14	108	5.0	10.0
7	郑树文	华南师范大学信息光电子学院	33	128	7.0	8.0
8	曾谷城	暨南大学生命科学学院	7	21	3.0	4.0