组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响

• 作者: 刘克辉 周立 张永刚 方祥 曹远迎 李好斯白音 王凯 顾溢
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlAs 缓冲层 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 481-485,490
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 字数: 1151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00481

摘要

通过在InP基InxAl1-xAs递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22 As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84 Ga0.16 As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.