采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性

• 作者: 张永刚 方祥 曹远迎 李成 王凯 顾溢
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 高In组分 缓冲层 InGaAs InAlAs
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 481-485
• 分类号: TN2
• 字数: 1250字
• 语种: 中文

摘要

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面；具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力；具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.