InGaAs短波红外探测器研究进展

• 作者: 史衍丽 张卫锋 张若岚 胡锐 赵鲁生
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 短波红外 焦平面阵列 红外探测器
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 361-365
• 分类号: TN215
• 字数: 3390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011

摘要

InxGa1 -xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87～3.5 μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料.InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用.同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	赵鲁生		8	117	5.0	8.0
3	张卫锋		6	63	3.0	6.0
4	张若岚		10	142	6.0	10.0
5	胡锐		3	63	3.0	3.0