InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化

• 作者: 张永刚 张见 杜奔 陈星佑 顾溢 马英杰 黄华 黄卫国 龚谦
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 InGaAs InAlAs异变缓冲层 生长温度
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 699-703,710
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.011

摘要

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77 K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制.