InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用

• 作者: 于伟华 侯彦飞 刘军 吕昕 崔大胜 杨宋源
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型 毫米波和亚毫米波 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 683-687
• 页数: 5页
• 分类号: O43
• 字数: 690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.008

摘要

利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证.为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻,在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性,基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4 dB@92.5 GHz,3 dB带宽为25GHz@85-110 GHz.而且,该放大器也表现出了良好的噪声特性,在88 GHz处噪声系数为4.1 dB,相关增益为13.8 dB.与同频段其他芯片相比,该放大器单片具有宽3 dB带宽和高的单级增益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕昕	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	58	285	10.0	14.0
2	于伟华	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	20	67	4.0	7.0
3	刘军	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	8	9	2.0	2.0
4	杨宋源	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	侯彦飞	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	崔大胜	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	1	1	1.0	1.0