太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制

• 作者: 付兴昌 吕昕 孙希国 崔玉兴 李亮 王志明 胡志富 赵卓彬 黄辉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 InAlAs/InGaAs 在片测试 单片集成电路
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 135-139
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 2725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.002

摘要

研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 mA/mm和1640 mS/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect -Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的fmax更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035 Ω· mm.