D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现

• 作者: 于伟华 侯彦飞 刘军 吕昕 杨宋源
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90 nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 144-148
• 页数: 5页
• 分类号: O43
• 字数: 349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.003

摘要

利用90 nm InAlAs/InGaAs/InP HEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170 GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2 dB@140 GHz,3 dB带宽为16 GHz,芯片面积2.6 mm×1.2 mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8 dB@139 GHz,3 dB带宽12 GHz,在130～150 GHz频带范围内增益大于10 dB,芯片面积1.7 mm×0.8 mm,带内最小噪声为4.4 dB、相关增益15 dB@141 GHz,平均噪声系数约为5.2 dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕昕	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	58	285	10.0	14.0
2	于伟华	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	20	67	4.0	7.0
3	刘军	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	8	9	2.0	2.0
4	杨宋源	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	侯彦飞	北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室	2	2	1.0	1.0