InP基HEMTs器件16参数小信号模型

• 作者: 丁鹏 孙树祥 李凯凯 李慧龙 李梦珂 王文斌 金智 钟英辉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 163-167
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.006

摘要

针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs 提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
2	丁鹏	中国科学院微电子研究所	21	161	9.0	12.0
3	李梦珂	郑州大学物理工程学院	7	17	1.0	4.0
4	钟英辉	郑州大学物理工程学院	6	17	2.0	4.0
5	李凯凯	郑州大学物理工程学院	4	9	1.0	3.0
6	孙树祥	郑州大学物理工程学院	2	3	1.0	1.0
7	王文斌	郑州大学物理工程学院	5	5	1.0	2.0
8	李慧龙	郑州大学物理工程学院	1	1	1.0	1.0