微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究

• 作者: 徐跃杭 徐锐敏 汪昌思 赵晓冬 闻彰 陈志凯
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场板 氮化镓 大信号模型 自热效应 热阻
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 通信与信息工程
• 页码范围: 485-491
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.03.002

摘要

针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型.该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等.在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0～40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐跃杭	电子科技大学电子工程学院	10	41	4.0	5.0
2	徐锐敏	电子科技大学电子工程学院	30	327	10.0	17.0
3	陈志凯	电子科技大学电子工程学院	2	45	1.0	2.0
4	闻彰	电子科技大学电子工程学院	2	3	1.0	1.0
5	汪昌思	电子科技大学电子工程学院	2	0	0.0	0.0
6	赵晓冬	电子科技大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0