GaN HEMT场板研究综述

• 作者: 刘建华 姚小江 郭宇锋 黄晓明 黄智
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 场板 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 9-14
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2020.01.002

摘要

GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研究热点.文中对GaN HEMT中应用的场板技术进行了归类与综述,讨论了源场板、栅场板、漏场板、浮空场板和结型场板共5种场板技术,并从工作机理、性能指标以及工艺复杂度等方面进行了分析.结果 表明,场板技术的引入能够显著提高器件的性能和可靠性,并且与其他电场优化技术相兼容,可以有效提高BFOM优值和JFOM优值,改善器件设计的折中关系,但同时会引入寄生电容,增加工艺复杂度.因此,如何在器件性能和工艺复杂度之间取得折中并对其物理机理进行深入研究,将是GaN HEMT器件的研究热点.