具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

• 作者: 伍捷 杜江锋 杨月寒 武鹏 赵金霞 陈卫 靳翀
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 解析模型 击穿电压 电场分布 场板 GaN
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 297-300
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2008.02.038

摘要

基于具有场板结构GaNHEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型.当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50 V提高到加场板后的225 V,增幅高出4倍.该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜江锋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	52	5.0	6.0
2	赵金霞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
3	伍捷	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	杨月寒	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	18	3.0	4.0
5	武鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
6	靳翀	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	23	3.0	4.0