短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制

• 作者: 刘天东 张永刚 朱诚 李爱珍 郝国强 顾溢
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏探测器 短波红外 InGaAs 气态源分子束外延
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 3716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.01.002

摘要

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9 μm,2.2 μm.和2.5 μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7 Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	朱诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	51	3.0	3.0
4	顾溢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	79	6.0	8.0
5	郝国强	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	110	4.0	4.0