激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性

• 作者: 刘世荣 黄伟其
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高精度椭偏仪 锗的纳米结构 PL光谱 量子受限
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 972-976
• 页数: 5页
• 字数: 3348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.02.081

摘要

在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用HPE同步测量样品的纳米结构. 用Raman光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰. 用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘世荣	中国科学院地化所电镜室	38	338	10.0	17.0