硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究

• 作者: 刘世容 蔡绍洪 黄伟其
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 纳米结构 Ge团簇 发光谱
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: TN366
• 字数: 1156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.020

摘要

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理,用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品,获得10～80nm厚的硅氧化层和1 nm厚的富锗层.新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1～2 nm厚的锗层.分析了锗纳米结构对应的PL发光谱,注意到锗纳米层对应的541 nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550～720 nm波长的发光带.从量子受限模型和局域密度泛函计算出发,合理地解释了实验的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡绍洪	贵州大学物理系	74	407	11.0	16.0
2	黄伟其	贵州大学物理系	40	77	5.0	6.0
3	刘世容	中国科学院地球化学研究所电镜室	2	1	1.0	1.0