晶体生长机理的研究综述

• 作者: 郝保红 黄俊华
• 来源期刊: 北京石油化工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体结构 晶界 晶须 扩散 成核
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 58-64
• 页数: 7页
• 分类号: O7
• 字数: 7274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-2565.2006.02.015

摘要

控制晶体生长使材料达到最高的强度可以采取两条相反的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度,晶须就是这种方法的一个实例.晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系.揭示了晶体生长的基本过程,介绍了晶体生长的机理,概述了晶体生长理论研究的技术和控制晶体生长的途径及手段,阐述晶体生长研究的发展方向,以及晶体生长与界面相的关系.这将对晶体生长的实践起着一定的指导作用.晶体生长理论研究的发展方向是使晶体生长过程可视化,这也是晶体生长实验技术的最终目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝保红	北京石油化工学院机械工程系	54	493	10.0	21.0
2	黄俊华	中国石油大学机电工程学院	1	134	1.0	1.0