半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探

• 作者: 候军燕 戴慧莹 施卫 李希阳 杨丽娜
• 来源期刊: 大气与环境光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半绝缘GaAs 暗态电阻 EL2 电子陷阱
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 光电技术
• 页码范围: 222-225
• 页数: 4页
• 分类号: O437.4
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-6141.2006.03.013

摘要

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴慧莹		10	17	2.0	3.0
2	杨丽娜		9	46	5.0	6.0
3	李希阳		1	1	1.0	1.0
4	施卫		1	1	1.0	1.0
5	候军燕		1	1	1.0	1.0