50 kV半绝缘GaAs光导开关

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 江伟华 王新新 袁建强 谢卫平
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 大功率 非线性模式
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 783-786
• 页数: 4页
• 分类号: TM836
• 字数: 2258字
• 语种: 中文

摘要

设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关,开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为20 mm.在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm、能量为9.9 mJ的激光脉冲触发使开关导通,开关置于0.2 MPa的SF6气体环境中.在施加直流50 kV电压的情况下,使用Rogowski线圈测得开关的最大导通电流为1.1 kA.对实验结果进行分析表明:随着初始偏置电压的升高,回路流过的电荷与电容初始储存的电荷的比值不断提高,但都没有达到100%,即非线性模式下光导开关的关断原因并不是由于外电路的能量已经耗尽.对非本征光电导的情况,计算出开关的通态电阻为2.71 Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	清华大学电机系	20	162	7.0	12.0
3	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
4	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
5	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
6	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
7	王新新	清华大学电机系	85	1495	19.0	36.0