雪崩模式下的体结构GaAs光导开关

• 作者: 吴朝阳 杨周炳 罗剑波 范昭奇 陆巍
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 雪崩 半导体二极管
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 340-343
• 页数: 4页
• 分类号: TN365|TM836
• 字数: 1468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201603.0340

摘要

利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发GaAs光导开关，使其工作于雪崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs 光导开关采用垂直体结构设计，芯片厚度为2 mm，电极形状分别为圆环和圆面，触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴 Blumlein 脉冲形成线完成。对基于 GaAs光导开关的同轴 Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验，当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后，开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时，在50Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压，实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试，其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，开关获得了最小抖动约700 ps。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨周炳	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	30	181	9.0	11.0
2	陆巍	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	20	107	6.0	9.0
3	吴朝阳	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	6	18	2.0	4.0
4	范昭奇	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	罗剑波	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	2	1.0	1.0