体结构GaAs光导开关实验研究

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 袁建强 谢卫平 赵越
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 体结构 击穿场强
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 脉动功率原及相关技术
• 页码范围: 2911-2914
• 分类号: TM836
• 字数: 1403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112311.2911

摘要

为解决光导开关耐受场强的提高问题,研制了2种体结构光导开关,并进行了实验研究.两种开关均由半绝缘GaAs材料制成,一种尺寸为10.0 mm× 10.0 mm×0.6mm,电极位于10.0 mm× 10.0 mm面上相对位置,电极直径6 mm；另一种尺寸为15.0 mm×15.0 mm×3.0 mm,8 mm直径电极位于15.0 mm×15.0 mm面上相对位置.测试了第1种开关在不同半高宽脉冲加载电压下的击穿电压,结果表明其最大耐受电压达7.6 kV,击穿电场127 kV/cm.对第2种结构测试了开关在直流加载条件下的暗态伏安特性并进行了触发实验,结果表明在15 kV工作电压下,其放电最大电流超过3.5 kA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	中国工程物理研究院流体物理研究所	20	162	7.0	12.0
2	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
3	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
4	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
5	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
6	赵越	中国工程物理研究院流体物理研究所	10	37	4.0	5.0