半导体激光二极管触发GaAs光导开关

• 作者: 吴朝阳 杨周炳 罗剑波 范昭奇 陆巍
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 非线性 半导体二极管
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 804-806,812
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201406.0804

摘要

半导体激光二极管触发下砷化镓(GaAs)光导开关工作于雪崩模式，为此设计了异面体结构的 GaAs光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2 mm，电极间隙为3 mm，利用半导体激光二极管对开关进行触发实验。当开关充电电压超过8 kV后，开关输出脉冲幅度显著增强，输出脉冲前沿快于光脉冲，开关开始雪崩工作模式。随着开关电场不断增加，开关输出电压幅值也线性增加，但开关输出波形没有改变。对开关抖动进行测试，其测试结果显示开关偏压对抖动影响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，当开关偏压升至15 kV时，开关获得最小抖动约500 ps。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨周炳	中国工程物理研究院应用电子学研究所	30	181	9.0	11.0
2	陆巍	中国工程物理研究院应用电子学研究所	20	107	6.0	9.0
3	吴朝阳	中国工程物理研究院应用电子学研究所	6	18	2.0	4.0
4	范昭奇	中国工程物理研究院应用电子学研究所	2	2	1.0	1.0
5	罗剑波	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	2	1.0	1.0