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摘要:
通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异,分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响.实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为12 mm.使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验.使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形.实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响,回路电感影响了导通电流的上升前沿,储能电容对于开关非线性模式的维持起决定作用,储能电容较大时才能够提供非线性模式维持所需的偏置电场.
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文献信息
篇名 外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 砷化镓 光导开关 闭合时间 非线性模式
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 438-442
页数 5页 分类号 TM836
字数 2785字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20102202.0438
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 袁建强 中国工程物理研究院流体物理研究所 20 162 7.0 12.0
3 李洪涛 中国工程物理研究院流体物理研究所 64 265 8.0 14.0
4 刘宏伟 中国工程物理研究院流体物理研究所 24 157 7.0 12.0
5 刘金锋 中国工程物理研究院流体物理研究所 14 110 7.0 10.0
6 谢卫平 中国工程物理研究院流体物理研究所 68 501 14.0 19.0
7 江伟华 清华大学电机系 22 310 11.0 17.0
传播情况
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光导开关
闭合时间
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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