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外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
作者:
刘宏伟
刘金锋
李洪涛
江伟华
袁建强
谢卫平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
砷化镓
光导开关
闭合时间
非线性模式
摘要:
通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异,分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响.实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为12 mm.使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验.使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形.实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响,回路电感影响了导通电流的上升前沿,储能电容对于开关非线性模式的维持起决定作用,储能电容较大时才能够提供非线性模式维持所需的偏置电场.
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微机与外电路间的接口电路和数据交换
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数据交换
消除模拟开关导通电阻影响电路增益的方法
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文献信息
篇名
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
砷化镓
光导开关
闭合时间
非线性模式
年,卷(期)
2010,(2)
所属期刊栏目
脉冲功率技术
研究方向
页码范围
438-442
页数
5页
分类号
TM836
字数
2785字
语种
中文
DOI
10.3788/HPLPB20102202.0438
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
袁建强
中国工程物理研究院流体物理研究所
20
162
7.0
12.0
3
李洪涛
中国工程物理研究院流体物理研究所
64
265
8.0
14.0
4
刘宏伟
中国工程物理研究院流体物理研究所
24
157
7.0
12.0
5
刘金锋
中国工程物理研究院流体物理研究所
14
110
7.0
10.0
6
谢卫平
中国工程物理研究院流体物理研究所
68
501
14.0
19.0
7
江伟华
清华大学电机系
22
310
11.0
17.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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共引文献
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参考文献
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节点文献
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砷化镓
光导开关
闭合时间
非线性模式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
期刊文献
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