不同控制方式下占空比对钛合金微弧氧化膜的影响

• 作者: 吴向清 胡宗纯 谢发勤
• 来源期刊: 电镀与环保
• 学科: 工学
• 关键词: 微弧氧化 钛合金 占空比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 阳极氧化
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.451
• 字数: 2157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4742.2006.05.010

摘要

分别以恒电压和恒电流两种方式进行TC4钛合金的微弧氧化,研究两种方式下占空比对钛合金微弧氧化膜的影响.结果表明:占空比对电流密度和电压的不同作用决定了占空比对氧化膜厚度和粗糙度的影响,恒电压方式下,增加占空比,氧化膜的生长速率增大,表面变得粗糙,而且占空比的作用比在恒电流方式下更显著,因此,在恒电压方式下通过改变占空比控制氧化膜的形成更有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴向清	西北工业大学航空学院	88	841	16.0	23.0
2	谢发勤	西北工业大学航空学院	115	1256	19.0	28.0
3	胡宗纯	西北工业大学航空学院	14	188	9.0	13.0