二硅化钼发热元件的热弯研究

• 作者: 吴中 徐向红 杨延清 杭瑞强 王含英 陈彦
• 来源期刊: 稀有金属快报
• 学科: 工学
• 关键词: 二硅化钼 发热元件 烧结 性能 热弯
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研发与应用
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4
• 语种: 中文

摘要

研究了烧结温度对MoSi2发热元件性能的影响,使用SEM观察了各种烧结温度试样的微观组织、氧化层厚度及高温弯曲试样的表面形貌,测定了各种温度烧结试样的氧化动力学曲线、电阻率及抗弯强度.结果表明,高温烧结的MoSi2可进行热态弯曲成形,表面没有发现裂纹,试样中的气孔已明显球化,氧化层厚度明显小于低温烧结试样的.高温烧结试样的电阻率较低,抗弯强度较高,烧损温度达到1 750℃.