SiC内层厚度对SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能影响的研究

• 作者: 刘朗 赵娟 郭全贵
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨 涂层 抗氧化
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2006.z1.015

摘要

为了提高石墨材料的抗氧化性,在石墨表面制备SiC/Si-MoSi2抗氧化涂层.首先采用液硅渗透在石墨材料表面制备SiC内涂层,然后采用料浆刷涂法制备Si-MoSi2外层.详细研究了SiC内层厚度对所制备的SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能的影响.结果表明,SiC内层厚度对涂层的氧化防护能力有很大影响;在本实验条件下,当SiC内层厚度为240μm左右时,所制备的涂层在1 400℃的高温下对碳基体具有长时间的氧化防护性能.并从微观结构上分析和解释SiC内层厚度对所制备涂层的抗氧化性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭全贵	中国科学院山西煤炭化学研究所	107	1419	22.0	31.0
2	刘朗	中国科学院山西煤炭化学研究所	203	3170	29.0	43.0
3	赵娟	中国科学院山西煤炭化学研究所	16	115	5.0	10.0