SiGeHBT及其在射频LNA中的应用

• 作者: 向旺 张华斌 张庆中 赵翔 陈庆华
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结SiGe HBT 低噪声放大器(LNA) SOI工艺 BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TP211+.51
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2006.04.004

摘要

随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻.新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGe HBT LNA就是其中之一.基于Si的制造工艺,SiGe HBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGe HBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分.在本文中详细地讨论了SiGe HBT LNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等.并讨论了SOI衬底上的SiGe HBT LNA的应用和BiCMOS工艺上SiGe HBT LNA的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆中		16	73	4.0	8.0
2	陈庆华		3	22	2.0	3.0
3	赵翔		6	16	3.0	3.0
4	张华斌		22	41	4.0	6.0
5	向旺		2	5	2.0	2.0