砷化镓射频前端LNA设计

• 作者: 甘业兵 罗彦彬 董震震
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 低噪声放大器 砷化镓 级间匹配 宽带
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于砷化镓0.25 μm工艺的pHEMT器件,设计了一种具有高线性度、高增益、极低噪声性能的宽带低噪声放大器(LNA).电路为共源共栅结构,并采用级间匹配以达到提高高频增益延展带宽的效果.本设计分为0.7～1.0 GHz、1.6～2.2 GHz与2.3～2.7 GHz三个频段进行外部匹配,电源电压为5V,测试结果显示,该低噪声放大器静态工作电流为75 mA,在三个频段分别获得27.2～25.8 dB、22～20 dB、19.2～18.7 dB的高增益,并且每个频段内都有较好的增益平坦度,具有0.45～0.75 dB极低的噪声系数和20～19.5 dBm的输出1 dB压缩点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘业兵	中国科学院微电子研究所	16	43	4.0	5.0
5	董震震		1	0	0.0	0.0
6	罗彦彬	中国科学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0