HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究

• 作者: 乔辉 储开慧 李向阳 汤英文 胡亚春 贾嘉 陈江峰 龚海梅
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 工学
• 关键词: O+2清洗 Ar+刻蚀 钝化 HgCdTe光伏探测器
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 沉积技术与控制方法
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2006.04.012

摘要

在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和Ar+刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件.对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而Ar+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使SiO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力.