掺钕PLZT电光陶瓷的光辐射特性

• 作者: 冯卓宏 刘志高 刘璟 明海 林琳 洪锦绵 郑志强 黄抒洁
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺钕PLZT陶瓷 Judd-Ofelt理论 辐射特性 上转换
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: O433
• 字数: 3085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5277.2006.01.011

摘要

研究了掺钕锆钛酸铅(PLZT)电光陶瓷的光学特性,利用Judd-Ofelt(J-O)理论计算该材料的强度参量:Ω2= 0.7747×10-20 cm2,Ω4= 0.9856×10-20 cm2,Ω6= 0.9264×10-20 cm2,并用强度参量计算了4F3/2亚稳态的辐射寿命(394 μs)、受激发射截面σij、荧光分支比,测量了4F3/2亚稳态的荧光寿命(168 μs)并计算了该能级的荧光量子效率.同时还研究了该材料在803 nm激发下的上转换荧光特性.分析表明掺钕PLZT电光陶瓷在多功能器件、集成光学等方面有潜在的应用价值.