MgH2-V体系解氢能力的第一原理计算

• 作者: 刘金水 周惦武 彭平
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 物理学
• 关键词: MgH2 第一原理计算 解氢能力 电子结构
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 3578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2006.01.001

摘要

基于MgH2-5%(原子数分数)V机械合金化检测到VH0.81/MgH2相界的实验结果, 构建了一个VH/MgH2相界模型, 然后采用第一原理赝势平面波方法, 研究了V对MgH2解氢能力的影响及其电子作用机制. 结果显示: 合金化后形成的VH/MgH2相界比MgH2相的结构稳定性差, 表明VH相的存在能改善MgH2相的解氢能力. 电子态密度(DOS)和电子密度图的分析发现: V对MgH2相解氢能力的增强主要源于V诱导VH/MgH2相界Fermi能级EF处电子密度N(EF)的增加和EF附近HOMO- LUMO能隙△EH-L的消失, V对MgH2解氢动力学的催化作用可归因于V-H间电子相互作用比Mg-H间强, α-Mg形核在MgH2-V体系的VH/MgH2相界中比在MgH2相中容易.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周惦武	湖南大学材料科学与工程学院	95	882	17.0	26.0
2	彭平	湖南大学材料科学与工程学院	89	789	15.0	22.0
3	刘金水	湖南大学材料科学与工程学院	77	789	16.0	25.0