Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究

• 作者: 任忠祥 夏伟 张新 徐现刚 李树强 蒋民华 陈秀芳 马德营
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP/GaInP量子阱 Zn扩散 组分无序
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 854-856
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.07.020

摘要

利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.