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摘要:
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率.文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法.在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右.采用0.25 μm CMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418 kbits.NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8 ns,当访存时钟频率为3.8 MHz时,静态功耗为0.9 mW,动态功耗小于3 mW.
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文献信息
篇名 手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 TFT-LCD驱动芯片 单端口SRAM 存储单元 预充电路
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 566-570
页数 5页 分类号 TN27|TN702
字数 3247字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 樊晓桠 西北工业大学航空微电子中心 170 1393 17.0 29.0
2 魏廷存 西北工业大学航空微电子中心 70 333 11.0 13.0
3 岳帮辉 西北工业大学航空微电子中心 1 14 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
TFT-LCD驱动芯片
单端口SRAM
存储单元
预充电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
总下载数(次)
7
总被引数(次)
21631
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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