SiOx纳米线的热蒸发法制备及表征

• 作者: 吴萍 程文德 邹兴权
• 来源期刊: 汕头大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化硅纳米线 气-液-固生长模式
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3|TN304
• 字数: 1883字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4217.2006.04.007

摘要

采用活性炭还原SnO2粉末得到的金属锡作为催化剂,在硅片上生长出SiOx(x在1～2之间)纳米线.分析900℃～1 100℃下生长出来的SiOx纳米线发现,温度越高,纳米线越密集,表面也更光滑;分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明,硅片上温度梯度越小,生长的纳米线分布越均匀,直径也越均匀.并结合实验条件对SiOx纳米线的生长机理进行初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹兴权	汕头大学理学院物理系	3	7	2.0	2.0
2	吴萍	汕头大学理学院物理系	16	73	5.0	8.0
3	程文德	汕头大学理学院物理系	4	20	3.0	4.0