近化学计量比铌酸锂晶体生长技术攻关

• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 技术攻关 晶体生长 中国科学院上海硅酸盐研究所 近化学计量比 铌酸锂 “十五”发展计划 LN晶体 科技进步二等奖 生长技术 上海硅酸盐所
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 108
• 页数: 1页
• 分类号: TQ174.758

摘要

中国科学院上海硅酸盐研究所自70年代初就开展了LN晶体的研究工作，是国内最早开展LN晶体研究的科学机构。“浮称法自动等径大尺寸LN晶体的生长技术”于1983年通过中国科学院技术鉴定。80年代以来，又先后开展了LN晶体结构缺陷。掺杂LN全息照相记录介质的研究以及光学级LN晶体的生长工艺探索。先后获得中科院自然科学一等奖，中科院科技进步二等奖等国家和省部级奖励4项。九五期间，我所承担的863计划“三维全息光折变存储材料及应用研究”生长出一系列用于光存储的双掺杂LN晶体，并取得一系列有关LN晶体生长技术方面的专利成果。SLN晶体生长技术和批量生产技术攻关作为重点项目于2001年初就已经列入上海硅酸盐所“十五”发展计划中。获得了所创新基金250万元的支持。