铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构

• 作者: 张贺新 方双全 马德才 黄新
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铌酸锂晶体 近化学计量比 缺陷结构 取代机理 阈值 铟
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 1409-1412
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11990/jheu.201407016

摘要

为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制,采用顶部籽晶助熔剂方法( TSSG)生长了不同铟含量的近化学计量比铌酸锂( In:SLN)晶体,利用X射线衍射、差热分析,紫外-可见吸收光谱及红外光谱测试并研究了晶体中的缺陷结构变化规律. 分析发现在近化学计量比铌酸锂晶体中,In2 O3的阈值浓度介于1%~1.5%. 缺陷结构研究表明,当In2 O3掺杂量低于阈值浓度时,In3+离子优先取代Nb4+Li ,形成In2+Li离子;当In2 O3掺杂浓度高于阈值浓度时, In3+离子开始同时占据正常的Li与Nb位,形成In2+Li-In2-Nb电荷自补偿结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张贺新	哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院	24	208	10.0	13.0
2	方双全	扬州大学机械工程学院	8	2	1.0	1.0
3	黄新	扬州大学机械工程学院	8	11	2.0	3.0
4	马德才	中山大学物理与工程学院	3	7	1.0	2.0