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FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation
FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation
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摘要：
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内容分析
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文献信息
| 篇名 | FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | 二氧化硅薄膜 碳掺杂 氙 离子照射 光谱分析 | ||
| 年，卷（期） | 2006,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 63 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O613.72 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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二氧化硅薄膜
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版
主办单位：
Atomic
Energy
Physics
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州市城关区南昌路509号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
4411
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