电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu2+的光激励发光及光存储性质研究

• 作者: 孙力 徐征 王欣姿 王永生
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 工学
• 关键词: 电子俘获 光激励发光 光存储
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 399-402
• 页数: 4页
• 分类号: TQ594
• 字数: 2385字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2006.03.004

摘要

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3:Eu2+样品.其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410 nm处,属于Eu2+的5d-4f跃迁发光.光激励峰位于660 nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器.根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理.测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3:Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉.该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐征	发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所	12	89	6.0	9.0
2	王欣姿	发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所	1	10	1.0	1.0
3	王永生	发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所	2	14	2.0	2.0
4	孙力	发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所	1	10	1.0	1.0